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Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Umfang 648 seiten

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Autor

Vinod Khanna Kumar

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€207,08

Über das Buch

A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Genres und Tags

ElektronikFachliteratur

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Altersbeschränkung:

Veröffentlichungsdatum auf Litres:

20 August 2019

Umfang:

648 S.

ISBN:

9780471660996

Gesamtgröße:

33 МБ

Gesamtanzahl der Seiten:

648

Rechteinhaber: