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Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Text PDF
Umfang 648 Seiten
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€200,91
Über das Buch
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
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Altersbeschränkung:
0+Veröffentlichungsdatum auf Litres:
20 August 2019Umfang:
648 S. ISBN:
9780471660996Gesamtgröße:
33 МБGesamtanzahl der Seiten:
648Rechteinhaber:
John Wiley & Sons Limited