Simulation of Transport in Nanodevices

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Buchbeschreibung

Linear current-voltage pattern, has been and continues to be the basis for characterizing, evaluating performance, and designing integrated circuits, but is shown not to hold its supremacy as channel lengths are being scaled down. In a nanoscale circuit with reduced dimensionality in one or more of the three Cartesian directions, quantum effects transform the carrier statistics. In the high electric field, the collision free ballistic transform is predicted, while in low electric field the transport remains predominantly scattering-limited. In a micro/nano-circuit, even a low logic voltage of 1 V is above the critical voltage triggering nonohmic behavior that results in ballistic current saturation. A quantum emission may lower this ballistic velocity.

Detaillierte Informationen
Altersbeschränkung:
0+
An folgendem Datum zu LitRes hinzufügt:
21 Juni 2018
Größe:
403 S.
ISBN:
9781118761779
Gesamtgröße:
13 MB
Gesamtzahl der Seiten:
403
Seitengröße:
156 x 234 мм
Lektoren:
François Triozon, Philippe Dollfus
Verleger:
Wiley
Copyright:
John Wiley & Sons Limited
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