Динамика заряженных частиц и интенсивных пучков в стационарных полях

PDF
Учебное пособие
0
Kritiken
Als gelesen kennzeichnen
Wie Sie das Buch nach dem Kauf lesen
  • Nur Lesen auf LitRes Lesen
Buchbeschreibung

В пособии содержатся наиболее важные вопросы динамики заряженных частиц и интенсивных пучков в стационарных электрическом и магнитном полях. Представлен необходимый математический аппарат, приведены основные уравнения электромагнитного поля, рассмотрены некоторые аналитические и численные методы расчёта потенциалов и полей. Рассмотрено движение заряженных частиц в однородных и слабо неоднородных электрическом и магнитном полях, в полях с аксиальной симметрией. В параксиальном приближении получены линеаризованные уравнения движения заряженных частиц, рассмотрена линейная динамика частиц в аксиально-симметричных электростатических и магнитных линзах, в квадрупольных линзах, в поворотных магнитах. Даны определения фазового объёма и эмиттанса пучка, акцептанса канала, сказано о проблемах построения огибающих потока и согласования потока с периодическим каналом. Описаны основные эффекты, возникающие из-за влияния пространственного заряда, в том числе образование виртуальных катодов. Рассмотрено начальное формирование электронных потоков, описаны источники пучков заряженных частиц с плазменным эмиттером.

Предназначено для студентов ФТФ НГТУ третьего года обучения.

Detaillierte Informationen
Altersbeschränkung:
0+
An folgendem Datum zu LitRes hinzufügt:
13 Februar 2023
Schreibdatum:
2020
Größe:
249 S.
ISBN:
978-5-7782-4139-8
Gesamtgröße:
2 MB
Gesamtzahl der Seiten:
249
Seitengröße:
160 x 230 мм
Copyright:
Новосибирский государственный технический университет
Динамика заряженных частиц и интенсивных пучков в стационарных полях — Lesen Sie kostenlos online einen Ausschnitt des Buches. Posten Sie Kommentare oder Kritiken, stimmen Sie für Ihren Favoriten.
Buch ist Teil der Reihe
«Учебники НГТУ»
Теория языков программирования. Проектирование и реализация
Электропитание радиоэлектронных средств
Элементы автоматических устройств на микроэлектронной базе
-5%

Отзывы

Сначала популярные

Оставьте отзыв