Физические основы наноинженерии

PDF
Als gelesen kennzeichnen
Wie Sie das Buch nach dem Kauf lesen
  • Nur Lesen auf LitRes Lesen
Buchbeschreibung

Методические материалы по дисциплине «Физические основы наноинженерии» содержат ее нормативную базу, рекомендации по организации и проведению лекций, практических занятий, семинаров, лабораторных работ и деловых игр, перечень учебных видео- и аудиоматериалов, слайдов, типовых плакатов и другие дидактические материалы, необходимые для работы профессорско-преподавательского состава по данной дисциплине. Для студентов, аспирантов и преподавателей высших технических учебных заведений по направлению подготовки «Наноинженерия». Будут полезны всем, занимающимся вопросами нанотехнологий, наноинженерии, проектированием МЭМС и НЭМС, созданием электронных систем различного назначения.

Detaillierte Informationen
Altersbeschränkung:
0+
An folgendem Datum zu LitRes hinzufügt:
15 Januar 2016
Schreibdatum:
2011
Größe:
231 S.
ISBN:
978-5-7038-3507-4
Gesamtgröße:
15 MB
Gesamtzahl der Seiten:
231
Seitengröße:
148 x 215 мм
Copyright:
МГТУ им. Н.Э. Баумана
Физические основы наноинженерии — Lesen Sie kostenlos online einen Ausschnitt des Buches. Posten Sie Kommentare oder Kritiken, stimmen Sie für Ihren Favoriten.

Отзывы 1

Сначала популярные
nanocompiler000 nanocompiler000

Путь любого научного направления имеет развилку: либо в небытие за ненадобностью (возможно временной из-за непонятности), либо в «промышленную разработку» и «конец романтизма». Вот эта книга показывает, что такое «промышленная разработка» темы – официальный конспект лекций. Здорово! Наконец-то! Оглавление радует и впе6чатляет. Всё о чём мечтали. Вероятно, очень хорошая книга для нашего времени. А то мужики-то не знают, что при уменьшении размеров элементов до «нано» начинаются сказываться квантовые размерные эффекты – дискретизация спектра разрешённых уровней (являющихся решениями задачи стационарного уравнения Эрвина Шрёдингера на собственные значения для прямоугольной потенциальной ямы), квантовая статистика Ферми–Дирака не вырождается в классическую статистику Больцмана. Поэтому, например, уже нельзя для транзисторов использовать модель Эберса–Молла. Для наноэлементов необходимы другие расчётные формулы. Многие разработчики САПР этого просто не знают. Поэтому смело прогнозируют топологические нормы для элементов СБИС (точнее для длины затвора в КМОП транзисторах) не только в 45-28 нм, но и в 7-5 нм. Что является бессмыслицей с точки зрения физики. Но физику они игнорируют. Может быть такие книги отучат их от этой легкости бытия.

Оставьте отзыв